型号:

DMN2230U-7

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN2230U-7 PDF
产品变化通告 Encapsulate Change 15/May/2008
Copper Bond Wire Change 3/May/2011
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 110 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 188pF @ 10V
功率 - 最大 600mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3
包装 标准包装
产品目录页面 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DMN2230U-7DIDKR
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